【每日热点速读】
1、高通首次拆分旗舰芯片:双平台布局,存储规格拉开差距
2、三星LPDDR6完成高通平台验证,加速布局端侧AI内存市场
3、长江存储 3D NAND 专利战在德获胜,美光相关侵权产品遭禁售
4、阿里发布AI芯片真武 V900,算力较 M890 提升 3 倍
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高通首次拆分旗舰芯片:双平台布局,存储规格拉开差距
高通正在调整面向高端智能手机市场的产品策略。随着 Ultra、影像旗舰、游戏手机和折叠屏等产品进一步分化,高通首次将旗舰移动平台拆分为两个层级。
两款芯片定位不同
当地时间9月22日,高通在夏威夷举行的“2026骁龙峰会”上发布第六代骁龙8至尊版(Snapdragon 8 Elite Gen 6)和第六代骁龙8至尊版 Extreme(Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6)。
高通移动终端业务总裁克里斯·帕特里克表示,随着旗舰手机需求不断分化,“单一规格已无法定义旗舰”。
两款芯片均采用2nm工艺和新一代Oryon CPU,区别主要集中在GPU、AI、内存、存储和影像能力。其中,标准版面向更广泛的高端旗舰,Extreme版则面向Ultra、游戏和影像等对性能要求更高的产品。
骁龙8 Elite Extreme Gen 6
Extreme版采用8核Oryon CPU,由2颗Prime核心和6颗Performance核心组成,最高频率5GHz,CPU性能较上一代提升13%,能效提升37%。
GPU为Adreno 850,配备18MB Adreno High-Performance Memory,性能提升44%,功耗效率提升40%。Hexagon NPU性能提升35%,每瓦AI性能提升33%,支持端侧运行30B级混合专家(MoE)模型。
影像方面支持8K60视频、4K240慢动作以及三颗6400万像素摄像头同时处理。
存储方面,Extreme版支持LPDDR6和UFS 5.0。三星已完成16GB LPDDR6在该平台上的验证,最高I/O速率达到10.7Gbps,理论带宽约114GB/s。相比LPDDR5X,其功耗效率最高提升21%。
封装方面,Extreme版采用Offset PoP方案,将上方内存组件相对CPU、GPU等高发热的计算核心进行物理偏移,使SoC核心区域能够更直接地接触均热板、石墨烯片等外部散热材料,从而更高效地导出热量。该方案会带来封装尺寸增大、主板占用面积增加等问题,但有助于在游戏、AI推理或视频渲染等高负载场景下维持更持久的峰值性能,减少“越玩越卡”的现象。据高通介绍,目前该封装方案已赢得了游戏手机厂商的高度关注和浓厚兴趣。
骁龙8 Elite Gen 6
标准版同样采用8核Oryon CPU,最高频率5GHz,CPU性能提升10%,能效提升37%。
GPU为Adreno 845,性能提升35%;NPU性能提升14%,每瓦AI性能提升20%。影像方面支持Elite Color Engine、Motion Intelligence等技术,但整体规格低于Extreme版。
存储方面,标准版主要对应LPDDR5X和UFS 4.1,与Extreme版的LPDDR6和UFS 5.0形成明显区隔。标准版由此更加侧重性能、能效和成本之间的平衡。
骁龙8 Elite Gen 6采用传统封装堆叠(PoP)方案,通常将 DRAM 内存芯片直接垂直堆叠在 SoC(系统级芯片)正上方,虽然可以节省主板空间,但会导致内存成为 SoC 散热的物理屏障,热量难以直接传导到外部散热系统
高端化成为手机厂商的重要选择
高通此次推出双旗舰平台的背景,是全球智能手机市场仍面临需求和成本压力。内存等关键零部件价格上涨,进一步推高手机制造成本,也使终端价格承压。
在这一环境下,手机厂商更加重视高端产品,以提升产品价值和利润空间。以小米为例,近年来持续优化产品结构,主动收缩部分低端机型,并采取“控货保利”等策略,推动产品结构向高价值机型倾斜。
高通表示,小米、vivo、红魔、REDMI、OPPO、一加、Motorola、iQOO、荣耀等全球主要OEM厂商和智能手机品牌,将率先在旗舰产品中采用第六代骁龙8至尊版 Extreme和第六代骁龙8至尊版移动平台。
顶配GPU及LPDDR6、UFS 5.0等新一代存储的导入将进一步推高超高端旗舰产品定价
2nm制程以及LPDDR6、UFS 5.0等新一代硬件的导入,将进一步增加旗舰手机的BOM成本,并形成一定的终端价格压力。小米集团总裁卢伟冰已确认小米18 Pro系列售价将上调,具体价格尚未公布。
总体来看,高通此次“双旗舰”策略并非简单增加一款更高性能的芯片,而是针对旗舰手机进一步分化的趋势,对GPU、AI、内存、存储和影像能力进行更明确的层级划分:标准版覆盖更广泛的高端旗舰,Extreme版则向Ultra及其他超高端产品延伸。与此同时,手机厂商向高价值产品集中,以及LPDDR6、UFS 5.0等新一代存储技术的导入,也可能进一步推动高端安卓手机在产品配置和价格上的分化。
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三星LPDDR6完成高通平台验证,加速布局端侧AI内存市场
三星电子宣布,其16GB LPDDR6已在高通Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6平台上成功实现高达10.7Gbps的输入/输出速度。这也是LPDDR6首次在高通下一代移动平台上完成行业验证。
将新一代内存技术导入移动平台,远不止是器件层面的突破。内存需要与SoC及系统架构协同优化并完成验证,才能满足平台级性能、功耗和可靠性要求。三星与高通从开发早期阶段就展开的紧密工程协作,LPDDR6能够满足先进移动平台的需求,凸显出双方正持续推动内存技术进步,以应对设备端AI工作负载日益增长的要求。
三星电子LPDDR6内存每秒可传输和接收高达114GB的数据,可有效减少因处理器和内存之间数据拥塞而导致的处理速度下降现象,从而加快人工智能计算所需数据的传输速度。
在电源效率方面,LPDDR6也实现了显著提升。通过应用根据人工智能计算量和系统负载动态调整功耗的技术,与上一代LPDDR5X相比,电源效率提高了高达21%。
三星电子并未将LPDDR技术局限于智能手机领域,而是同步拓展至人工智能数据中心场景。三星目前正在开发基于LPDDR技术的服务器内存模块"SOCAMM2",以及可以直接在内存中处理部分运算操作的"LPDDR-PIM"(存内处理)产品,进一步丰富其在AI时代的产品布局。
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长江存储 3D NAND 专利战在德获胜,美光相关侵权产品遭禁售
当地时间9月18日,德国慕尼黑第一地区法院第七民事庭就长江存储诉美光系列专利侵权案中的两起案件作出裁决,认定美光侵犯长江存储两项德国实用新型权,并颁发禁令,判令美光停止在德国销售相关侵权产品。这是自 2023 年 11 月双方专利战全面爆发以来,长江存储在全球范围内取得的首个实质性禁令胜利。
此次裁决涉及的两项德国实用新型分别为:
DE202020006166U1,名称为“三维存储器件的阶梯结构”(案件号 7 O 12615/25);
DE202021004551U1,名称为“三维 NAND 存储器中字线接触的阻挡层”(案件号 7 O 12614/25)。
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阿里发布AI芯片真武 V900,算力较 M890 提升 3 倍
阿里旗下平头哥正式发布新一代 AI 芯片真武 V900。该芯片算力提升至上一代真武 M890 的 3 倍,基于它构建的单一集群可扩展至 50 万卡,可支撑前沿大模型的训练与推理。阿里预计,随着芯片产品线成熟和客户应用扩大,平头哥 AI 芯片年出货量将大幅提升。
按此前公布的路线图,真武 V900 原定计划于 2027 年第三季度推出,现在提前至 2027 年第一季度量产;芯片配备 216GB 显存,片间互联带宽达 1200GB/s,采用深度迭代的自研并行计算架构。
阿里同时披露,平头哥已覆盖真武系列 AI 芯片、倚天系列 CPU、磐脉系列智能网卡及 ICN 互联芯片,组建超大规模 AI 集群所需的核心芯片已全面布局。自研 M890 AI 超节点已支撑超过 2 万亿参数大模型高效推理,并在阿里云实现规模化供给;今年四季度还将新增服务节点。
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