国家知识产权局信息显示，希烽光电科技（南京）有限公司和NANO科技（北京）有限公司申请一项名为“基于PAMS热解牺牲墙的高速光电探测器共晶键合方法”的专利，公开号CN122934958A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于PAMS热解牺牲墙的高速光电探测器共晶键合方法，包括如下步骤：S1、晶圆预处理；S2、PAMS薄膜旋涂与固化；S3、光刻显影；S4、干法刻蚀；S5、后处理与划片；S6、PD芯片与TIA芯片共晶键合以及PAMS热解牺牲墙挥发。优点，本发明中的PAMS热解牺牲墙，制备于Au bump工艺之后，完全兼容现有芯片工艺，可在晶圆上批量制备与Au bump高度精确匹配的环形的PAMS热解牺牲墙，共晶键合后可完全去除无残留，显著提高共晶键合的良率和效率，适合大规模量产。

天眼查资料显示，希烽光电科技（南京）有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1941.4848万美元。通过天眼查大数据分析，希烽光电科技（南京）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，专利信息117条，此外企业还拥有行政许可6个。

NANO科技（北京）有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本14578.66335万人民币。通过天眼查大数据分析，NANO科技（北京）有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可2个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员