【CNMO科技消息】11月6日，据两位直接知情人士透露，台积电公司正在考虑进军先进内存芯片制造领域，这将使这家全球最大芯片制造商在人工智能硬件供应链中获得更大份额。据两位人士透露，这家芯片巨头最近开始制定生产一种特定先进存储芯片——3D DRAM的计划，这是应其最大客户英伟达的请求。
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CNMO科技了解到，DRAM即动态随机存取存储器，在处理器运算时暂存数据。传统DRAM将存储单元单层排布，而3D DRAM把存储单元垂直堆叠，在单颗芯片里塞入更多存储单元，从而实现更高的存储密度。台积电多年来一直在研究存储技术，手握多项垂直DRAM相关专利，方案正是通过向上堆叠存储结构来提升密度。当前存储芯片市场由三星、SK海力士和美光主导，这三家也都在研发3D DRAM技术，下一代存储制造赛道的竞争已经拉开序幕。
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英伟达的请求并非孤立动作。AI硬件热潮已催生存储芯片严重紧缺，价格大幅上涨，促使英伟达、苹果等芯片设计企业寻找新增供给来源。苹果今年早些时候就以存储成本上涨为由上调了终端产品售价。对于英伟达而言，HBM（高带宽内存）是AI加速器的关键配套组件，而HBM的供应高度集中于三星、SK海力士与美光三家。引入台积电作为先进存储的另一个潜在供给方，本质上是在为AI硬件的存储瓶颈寻找一条“代工侧”的替代路径。
台积电尚未披露具体时间表，但知情人士给出了两条可能的路径：新建工厂，或收购现有厂房并改造为存储产线。后一条路径已有先例——美光今年3月以18亿美元收购了台湾力积电的一座工厂，计划改造用于先进存储芯片生产。
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