由于受到美国出口管制的约束，中国内存芯片巨头长鑫存储（CXMT）在获取生产高带宽内存（HBM）所需的先进设备方面面临重重阻碍，难以在主流AI内存市场上与国际巨头直接竞争。然而，最新业界动态显示，长鑫存储正试图通过转向“定制化DRAM”来辟蹊径，寻找突破口。
报道指出，随着人工智能硬件的发展重点逐渐从单纯依靠GPU算力扩展至提升高速内存性能，长鑫存储将战略重点转向了3D集成电路（3D IC）和3D DRAM技术。这种新型架构设计有望在不依赖传统HBM设备的前提下，有效解决数据传输的性能瓶颈。
据了解，已有不少无晶圆厂（Fabless）芯片设计公司就此类新型定制化设计向三星电子等韩国半导体巨头提出合作意向。然而，三星和SK海力士目前均采取了极为审慎的态度。对这两家韩国巨头而言，通过大规模量产和出货标准型DRAM模块是其当前最主要的利润来源，盲目切入高度定制化和相对小众的3D DRAM市场不仅违背现有的成熟商业模式，还会带来巨大的研发与市场风险。虽然韩国双雄也在开展3D DRAM和3D IC的前沿技术研究，但在短期内并无推进大规模商业化的计划。
韩国巨头的避险策略恰好为长鑫存储等中国芯片厂商创造了难得的市场切入窗口。不过，押注定制化DRAM同样面临不小的挑战与不确定性。尽管中国半导体厂商已成功研制出多款3D DRAM样品芯片并开始对接客户项目，但该架构能否在实际的AI推理场景中提供等同甚至超越HBM的性能表现，目前仍未可知。
此外，成本控制与量产良率也是摆在长鑫存储面前的巨大难题。首批产品进入量产阶段后，前期的大量试错与研发投入可能推高成本，且最终的市场规模能否支撑起商业化回报尚有待验证。但对于缺乏HBM关键设备获取渠道的中国厂商而言，积极探索3D内存新赛道，无疑是打破现有技术封锁与市场僵局的主动之举。
