AI吞噬全球内存、手机被迫涨价，国产存储能否破局？|ddr|dram|hbm|nand|内存|存储|手机

每一片分配给英伟达GPU的高带宽存储器（HBM）硅片，都意味着一部智能手机的LPDDR5X内存将失去对应产能。当下，全球科技产业正站在关键的岔路口，一场始于AI基础设施的“内存饥渴”，已迅速蔓延为席卷整个半导体生态的风暴，而其冲击波正清晰抵达普通消费者的日常。

那么，在AI需求爆发、供需格局重塑、国产替代加速的当下，国产存储厂商能否抓住这一历史性机遇、破局产业困境？

短缺核心：AI驱动的“零和博弈”

此次内存危机的根源，在于需求性质的转变与供给侧的主动调整。当前的短缺已非单纯由供需错配引发的周期性波动，而是全球硅片产能向高附加值领域的一次战略性、且可能是永久性的重新分配。

长期以来，智能手机和个人电脑所使用的DRAM与NAND一直是半导体产能扩张的核心驱动力。然而，这一格局正在发生逆转。如今，以微软、谷歌、Meta、亚马逊等科技巨头为首的AI军备竞赛，催生了对HBM及DDR5等专用、高附加值内存的海量需求。这迫使三星半导体、SK 海力士、美光科技三大内存制造商将有限的产能和资本支出，大幅转向利润率更高的企业级组件。

这实质上是一场“零和博弈”：每一片分配给英伟达GPU的HBM硅片，都意味着智能手机的LPDDR5X内存或笔记本电脑的SSD将失去对应产能。而当下，AI服务器的单系统内存需求量呈指数级增长，其利润率也远高于消费级产品。因此，主要的芯片制造商正将更多产能转向生产HBM和DDR5，导致消费电子的内存产品供应锐减。

这一结构性转变的直接后果，是用于智能手机与PC的通用内存模块供应受到严重挤压，进而推动全品类内存价格自2025年末起大幅上涨，此外，产业链库存周期见底，上游囤货和下游恐慌性采购等行为都在加剧存储持续涨价。IDC预测，2026年DRAM和NAND的供应增速将低于历史平均水平，同比仅分别增长16%和17%。

连锁反应：智能手机与PC市场被迫涨价

这种结构性的产能转移，正通过供应链的层层传导，重塑两大核心消费电子市场的产品逻辑与定价策略。

对于智能手机市场，过去十年“高端配置平民化”的趋势正在逆转。智能手机的成本结构高度依赖内存配置：中端机型的内存成本占BOM成本的15%~20%，高端旗舰机型则约为10%~15%。随着内存价格持续飙升，厂商或许不得不大幅提价、降低新机内存配置，或两者兼施。

手机市场格局也将出现分化：主打性价比、利润空间本就微薄的中低端品牌将承受巨大压力，很可能被迫将成本转嫁给消费者；而苹果和三星等虽面临压力，但具备结构性对冲优势，充足的现金储备和长期供应协议使其能提前12~24个月锁定内存供应。不过，2026年新旗舰机型可能不会升级内存配置，且旧机型的降价幅度也可能缩小。

对于PC市场，情况则更为严峻。内存短缺、成本高企的时间点，恰好与微软Windows 10终止支持引发的换机潮、行业力推AI PC的关键窗口期叠加，对PC行业造成颠覆性冲击。首先，全面涨价已成定局。联想、戴尔、惠普等厂商已纷纷预警，行业将迎来15%~20%的普遍提价。其次，市场份额加速集中。出货量较大的PC厂商凭借供应链优势和议价能力，有望从中小型区域品牌及白牌厂商手中抢占更多市场份额。

更为关键的是，AI PC的增长可能因此受阻。AI PC通常需要至少16GB甚至32GB的大内存，以运行本地化AI模型。然而，就在市场急需增加内存配置的节点，内存却变得既短缺又昂贵。这可能导致AI PC价格高不可攀，或在推广初期被迫降低内存配置，从而削弱其体验和吸引力。

展望2026年，IDC提出了两种下行风险情景：在中度下行场景中，2026年智能手机和PC市场规模预计分别下降2.9%和4.9%，均价上涨3%~5%和4%~6%；在悲观下行场景中，降幅可能扩大至5.2%和8.9%，涨价幅度也可能更高。这场供应驱动的内存涨价潮，至少可能持续到2027年。

国产机遇：技术迭代与产能爬坡并重

在全球内存巨头聚焦高端、产能战略转向之际，一个历史性的机遇窗口正向中国存储厂商敞开。随着AI需求的爆发、供需格局的深刻调整，国产存储芯片正从“能用”向“好用”“敢用”转变，有望在本轮涨价周期中抢占更多市场份额。

当前，市场已显现积极信号。传音、小米、OPPO、vivo等手机品牌，在新机型中尝试采用国产存储芯片；联想、华为等PC厂商也纷纷在新品中搭载长江存储的SSD和长鑫存储的DRAM。国内存储产业链也积极把握机遇拓展市场。

国产存储厂商加快技术突破与扩产提速。长江存储已突破192层及以上堆叠技术，并在300、420层等产品加快研发，同时其武汉第三工厂预计2027年投产，规划月产能15万片，设备国产化率目标达50%。长鑫存储全面布局DRAM晶圆、DRAM 芯片、DRAM模组等多元化产品方案，其新品DDR5的速率达8000Mbps，性能比肩国际领先水平，同时还启动了高端产品量产计划，2026年设备采购中，国产设备占比将从15%提升至35%。

国内设备厂商在薄膜沉积、刻蚀、测试等环节不断突破，为存储厂商把握机遇提供了坚实支撑。中微公司60∶1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内3D NAND产线标配，下一代90∶1设备即将量产，技术参数对标应用材料同类产品；北方华创LPCVD设备在长江存储232层NAND产线实现量产，覆盖率达30%；拓荆科技ALD设备进入长鑫存储19nm DDR5产线，替代东京电子设备。

不过，机遇与挑战并存。国产存储厂商需警惕周期风险，避免盲目扩张。半导体行业固有的“繁荣-萧条”周期依然存在，当前因AI需求激增导致的产能紧张，未来可能随着技术迭代或需求变化而缓解，国产厂商的扩产策略需平衡短期市场机会与长期技术布局。同时，也应持续加大HBM和DRAM的研发投入，加速向高端产品线进军，进一步提升核心竞争力。